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三星今明两年将在NAND闪存上投入150亿美元

今年以来,Flash闪存供应充沛,SSD的价格从去年的高位被“打回原形”,破费者终于可以逐步遴选了。

据Chosun Ilbo报道,韩国财产链的消息人士走漏,三星今年投资在NAND Flash闪存上的本钱支出估计是64亿美元,2019年更是会前进到90亿美元。

这些投入首先是用于前进3D闪存的产能,包括位于平泽市和中国西安市的工厂,其次是先辈技巧。本周,三星发布量产第五代3D V-NAND闪存,采纳96层堆叠、单Die 32GB容量,领先竞争对手两年的光阴。

IC Insights阐发指出,三星开释旌旗灯号仅是个起头,未来几年,SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能,由此可能会呈现供应量刹不住车的超调风险。

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